全球领先的半导体存储器解决方案供应商美光（Micron）近日更新了其在美国的扩建计划，公司表示，位于爱达荷州博伊西（Boise）的总部新DRAM内存晶圆厂预计将于2027财年投入运营，而纽约州克莱（Clay）的晶圆厂则预计将在2028财年或之后开始生产。美光的财年始于上一个日历年9月，止于同年8月。
具体而言，爱达荷州博伊西的新晶圆厂计划于2026年9月至2027年8月期间投产，而纽约州克莱的首座晶圆厂则将在2027年9月至2028年8月间进入正式生产阶段。美光此举旨在进一步扩大其全球生产规模，以满足不断增长的存储需求。
美光表示，将对这些晶圆厂未来设备支出的时间线进行精准管理，确保供应增长与预期需求增长保持一致。此前，美光已宣布将在2030年前斥资500亿美元在博伊西和克莱分别建设一座和两座先进DRAM内存晶圆厂，并计划在未来追加750亿美元在克莱建设另外两座内存晶圆厂。
在财务支持方面，美光得到了美国联邦政府和纽约州政府的支持。根据初步协议，美国联邦政府将向美光提供最多61.4亿美元的直接补贴和75亿美元的贷款支持，而纽约州政府也将提供价值55亿美元的激励措施。
值得注意的是，尽管美光尚未启动纽约州克莱晶圆厂的建设工作，但公司表示已充分考虑了项目用地上的环境问题，包括两种濒临灭绝的蝙蝠的栖息地。彭博社早前报道指出，美光需要等待蝙蝠进入冬眠期后才能砍伐其夏季栖息地的树木。对此，美光回应称，蝙蝠栖息地等环境审批问题早已被纳入其建设时间表，并计划于2025年初开始项目建设。
此次扩建计划进一步巩固了美光在全球半导体存储市场的领先地位，同时也预示着未来半导体行业将继续呈现增长态势。随着新技术的不断发展和应用，半导体存储器的需求预计将持续增长，美光等领先企业的持续投入和产能扩张将对整个行业产生深远影响。