9月9日消息,据国外媒体报道,本周三,三星电子宣布他们位于平泽园区的P3生产线,全面投入运营。
从外媒的报道来看,三星电子在平泽园区的P3芯片生产线,是在2020年的年底开始建设的,建设过程历时近两年,在今年7月份就已开始生产先进的NAND闪存。
外媒在报道中提到,本周全面投入运营的P3生产线,是三星电子到目前为止建设的最大的半导体工厂。
除了已经开始生产的NAND闪存,三星电子平泽园区的P3生产线,还将用于生产基于极紫外光刻工艺的DRAM,以及5nm及以下制程工艺的晶圆代工。5nm及以下制程工艺的晶圆代工,也需要极紫外光刻机,他们已经在这一生产线上部署了阿斯麦的极紫外光刻机。
而在P3生产线投产后,三星电子还将在平泽园区建设P4生产线,外媒在报道中也提到,P4生产线已经开始了基础施工。