兆易创新(603986)近日宣布正式推出基于RISC-V内核的GD32VW553系列双模无线微控制器。据了解GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2无线连接，为需要高效无线传输的市场应用持续提供解决方案。全新产品组合提供了8个型号、QFN40/QFN32两种小型封装选项，现已开放样片和开发板卡申请，并将于12月份正式量产供货。

　　事实上兆易创新是以存储器为起点的半导体公司,其SPI NOR Flash已经连续十年在市场占有率排名前三,市场占有率也已经超过了20%,几乎所有需要存储代码的应用领域都有覆盖。 

　　Flash迎来发展机会

　　当下产业数字化转型、数字中国建设等的发展带动更高更大的数据量，在所有行业的数字化发展当中，Flash对于数据的存储、代码的存储至关重要，可以说是系统运行的保险箱，同时广泛的应用场景也需要功能丰富的存储器提供支持。

　　9月26日，第11届年度EEVIA中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会上，兆易创新Flash 事业部产品市场经理张静女士表示，随着越来越多的电子设备趋向于便携式、可移动性方向的发展，对于低功耗的需求带来延长续航时间变得越来越重要。    

　　什么是Flash？flash闪存是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

　　张静女士表示，Flash作为电子设备系统非常重要，到目前，兆易创新Flash出货量已经超过200多亿颗。

　　兆易创新Flash从应用来看，近几年来发展非常快，十年前仅布局消费类领域。由于近些年来一些新兴领域发展带动，比如物联网、手机OLED屏幕、5G基站和汽车电子等，Flash应用领域越来越广泛。推动了Flash新发展机遇。

　　产品丰富基于强大研发实力

　　存储行业快速发展，源于兆易创新对研发投入的重视和强大的研发实力。所以从产品布局上来讲，近些年来变化也非常大。

　　张静女士称，兆易创新现在存储线产品线不止有NOR Flash，NAND类型拓展得更丰富，可以支持四种类型，容量拓展到8GB。近些年根据不同应用场景，也开发丰富的新型封装形式。温度等级方面，兆易创新不只是拓展了工规的85度，车规125度也可以支持。

　　张静女士总结，兆易创新的存储产品线可以支持27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格、29种封装方式。产品布局多样化来自于公司对研发的重视，逐年提升的研发投入提升兆易创新产品竞争力。

　　推出不同低电压、低功耗解决方案

　　随着物联网、可穿戴、汽车电子等新型领域的发展，对Flash的性能需求和要求越来越高。从Flash中直接运行代码，可以节省RAM，从而节省成本。对于汽车电子这类需要高性能Flash，希望能提高传输速率，做到及时响应，从而提高用户的体验感。

　　对此兆易创新提出了高性能的解决方案，推出了T系列、LT系统，此系列最高性能可以支持到200MB每秒，这也是当前可以做到的业界性能领先的四口产品。

　　对于高性能需求，兆易创新推出了八口SPI Flash产品，在四口的产品上IO数量扩大了一倍。最高性能可以支持400MB每秒。

　　不同应用对Flash电压需求也是不一样，全球能源有限，节约能源的设计理念已经成为半导体行业一个主要的推动力。兆易创新认为低电压、低功耗，是现在及未来的发展方向。

　　兆易创新秉承节约能源理念，推出了不同低电压、低功耗的解决方案，来满足不同应用的需求情况。电压从3伏、到1.8伏，宽电压1.65到3.6伏，再到更低的电压需求，到1.2伏。

　　领先的封装形式

　　Flash封装在不同的应用提出了不同需求。随着集成度越来越高，在一些尺寸受限的应用要求下，进一步缩小Flash的体积。

　　针对缩小封装，兆易创新推出了业界首颗1.2×1.2的封装，USON6封装形式，这种封装易于焊接和封装，比较耐用。

　　以及WLCSP封装，可以做到和裸die封装尺寸大小一致，也可以做到产品中最小的封装形式。但是它容易受损，系统的门槛会更高。当前在消费电子应用比较多。

　　在扩大封装容量上，也提出了不同的引领创新的解决方案。在64兆的容量上，推出了业界最小尺寸的3×2mm FO-USON 8封装。这个封装形式是和USON 3×2的封装形式完全兼容。当前USON 8 3×2的封装最大可支持容量是32Mb，而兆易创新可以做到64Mb，客户有扩容的需求，直接可以将其扩到64Mb，而无需更新PCB。另外和当前64Mb主流的封装USON 4×4相比，3×2的封装空间体积也减少了70%，对于紧凑型的设计，可以有更灵活的设计空间。

　　在128Mb的容量上，推出了业界最小尺寸的3×3mm封装。3×3的FO-USON8封装，兆易创新也可以做到和传统的USON8 3×3封装形式完全兼容。当前业界USON8 3×3最大可支持容量是64Mb。客户有扩容需求，可以直接将其扩展到128Mb，而无需更新PCB。和128兆主流的封装形式USON8 6×5相比，在空间体积上，3×3的封装相对来讲减少了85%空间体积，这个缩小是非常明显。所以无论是从空间体积还是扩大容量方面，这两个封装形式都有非常大的优势。

　　先进工艺制程SoC对NOR Flash的需求旺盛

　　7纳米以下的制程工艺可以为汽车应用、手机、云计算SoC处理器带来更快的计算速度、更强的图片处理能力、更长的电池续航时间。

　　高性能低功耗SoC需求，对Flash也提出了更高要求，希望Flash可以做到高性能、低电压、低功耗。对此，兆易创新也是推出了不同的解决方案。

　　兆易创新推出了更低电压的解决方案，即NOR Flash的核心供电和IO的供电电压都是1.2伏。这种方案它的电压是和核心电压SoC 1.2伏保持一致的电压值，这样就可以精简1.2V SoC的电路设计，不需要增加升压电路就可以直通信。

　　另外还提出了1.2伏VIO方案，此方案的核心电压还是保持1.8伏，但是IO接口的电压降低到1.2伏，和核心电压为1.2伏的SoC在通信的时候，无需增加升压电路，就可以直接通信，精简1.2伏SoC的电路设计。同时保持了1.8伏的供电，可以做到和1.8伏同等的高性能的水平。另外IO口的电压降低，消耗功率也会降低。